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本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法，所述掩膜结构的制备方法包括：将整体结构分为两个区域，对阵列区域和外围区域进行负光阻显影，可以规避因不同密度图案造成的凹陷和由于材料选择比差异引起的负载效应，优化不同图案密度区域，制备得到保留的第一图形化光刻胶层的上表面及保留的第三介质层的上表面均与第一掩膜图形的上表面相平齐的掩膜结构，以将掩膜结构的图形特征准确转移，提高图案化工艺的精准度，确保形成的半导体结构的准确性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097143 B
(45)授权公告日 2022.03.08
(21)申请号 202110340669.5 H01L 27/108 (2006.01)
(22)申请日
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