- 1、本文档共6页,其中可免费阅读5页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型提供了一种降低JFET区和积累区电阻的VDMOS结构,属于VDMOS器件技术领域,该一种降低JFET区和积累区电阻的VDMOS结构包括N+衬底:所述N+衬底的上表面设置有N漂移区,所述N漂移区的内部呈等间距设置有多个P形基区,相邻的所述P形基区之间通过所述N漂移区将多个所述P形基区隔离,相邻的所述P形基区之间设置有栅极氧化层,所述栅极氧化层的下表面且位于相邻的所述P形基区的边缘延伸至所述P形基区的内部,所述栅极氧化层的上表面设置有多硅晶栅极,且多硅晶栅极的中部断开,以形成有多晶硅栅注入
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213878102 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202120066155.0 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2021
提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载;后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新最新专利内容,完善相关专利服务,助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意!
1亿VIP精品文档
相关文档
最近下载
- VDA 2 EN 6th 2020 供应商管理标准 Securing the Quality of Supplies Production process and product approval PPA AIAG QMC vda2.pdf
- 禽肉类食材配送及售后服务方案.docx
- 生物物理学:能量、信息、生命7.pdf
- 涉氨制冷特种设备安全风险点登记台账、分级管控分析评价记录、清单、告栏、隐患排查清单、治理台账.docx VIP
- 体育专业开题报告毕业答辩模板.pptx VIP
- 河道水体生态修复治理施工方案.pdf
- JTGT F20-2015 公路路面基层施工技术细则.pdf
- 环境管理体系环境管理手册.pdf
- 关于推动基层党建工作与生产经营深度融合的措施与建议.docx VIP
- 同济大学博士后研究人员工作报告.docx
文档评论(0)