半导体物理填空题——武汉理工.pdf

1 ．纯净半导体Si 中掺 V 族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2 ．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。其运动速度正 比于 电场 ，比例系数称为迁移率 。 3 ．n p =n 2 标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积 n p 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n p 改变否？ 改变 。 o o i o o o o 4 ．非平衡载流子通过 复合效应 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命 τ ，寿命τ 与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关。 5 ．迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的 D k T 关系式是 n  0 ，称为关爱因斯坦关系式。  q n 6 ．半导体中的载流子主要受到两种散射 ，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主 要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7 ．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8 ．对 n 型半导体，如果以 EF 和 EC 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准 ，那末 ，E E 2k T 为非简并条件 ； C F 0 0 E E 2k T 为弱简并条件 ；E E 0 为简并条件。 C F 0 C F 9.以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率与温度的-3/2 次方成正比。 10.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。 11.电子在晶体中的共有化运动指的是电子不在完全局限在某一个原子上 ，而是可以从晶胞中某一点自由移动到其它晶胞内的对应点 ，因而电子 可以在整个晶体中运动。 12 ．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为 ：雪崩击穿 、和 齐纳击 穿（或隧道击穿） 。 13.半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能 增大 ，禁带宽度 减小。 14.简并半导体一般是 重掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可忽略。 15.处在饱和电离区的 N 型 Si 半导体在温度升高后 ，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻率会上升/增大。 16.电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。 17.随温度的增加，P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 18.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性 能。 19.ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的 ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 20.相对 Si 而言 ，InSb 是制作霍尔器件的较好材料 ，是因为其电子迁移率较 高/大 。 21.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体 Si 中是一种 深能级 杂质，通常起 复合中心的作用，使得载流子寿命减小。 22. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 23.某 N 型 Si 半导体的功函数 WS 是 4.3eV ，金属 Al 的功函数 Wm 是 4.2 eV ， 该半导体和金属接