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(完整word 版)模拟电子技术基础中的常用公式
模拟电子技术基础中的常用公式
7。1 半导体器件基础
GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：
i ? I
u
D(e V
D
? 1)
T
D R(sat )
式中，i 为流过二极管的电流，u 。为加在二极管两端的电压，V 称为温度的电压当量,与热力学温度
D D T
成正比，表示为 V = kT/q其中 T 为热力学温度，单位是K；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k 为玻
T
耳兹曼常数,k = 1。381×10—23 J／K。室温下，可求得V = 26mV。I 是二极管的反向饱和
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