Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析.doc

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2022-07-05 发布于湖南
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Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析.doc

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摘要 PAGE I 论文题目：Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析摘要纤锌矿GaN是相对比较明显且稳定的相，属于直接能隙的半导体，有较大的禁带宽度值，为3.4eV，具有优良的物理、化学性质及热稳定性, 以及介电常数小、击穿电压高等特点使得其可以成为优良的光电器件材料，在高温大功率器件和高频微波器件应用方面也有着广阔的前景?。对其进行磁性过渡金属离子或稀土金属离子的掺杂，用磁性过渡金属离子或稀土金属离子代替非磁性Ga离子能使其同时具备半导体材料和磁性材料的特性，成为稀磁半导体，其中Mn掺杂效果最为明显。本文采用第一性原理软件模拟计算出不同Mn掺杂量下，GaN的晶体学参数