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磁控溅射法制备氮化镓薄膜.doc

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    毕业设计（论文）各个内容排版样式 沈阳工程学院毕业设计（论文）撰写规范 - PAGE 4 - - PAGE 3 - 磁控溅射法制备氮化镓薄膜 Preparation of Gallium nitride Thin Films by Magnetron Sputtering 摘要 在宽禁带半导体中,III nitride GaN是带隙为0.7eV、3.4eV和62eV的直接带隙半导体。它们的三元素合金材料也具有直接带隙的特性,可以由0.7eV~62eV的各种带隙半导体制备,并且它们的波

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