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[table_main] 行业深度模板
证券研究报告 ·行业深度研究
GaN 行业深度:5G、快充、 [table_indusname] 电子
UVC——第三代半导体潮起
射频GaN 在5G 基站和军用雷达的应用中独具优势
GaN 射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点,
能在5G 时代节省宝贵的PCB 空间,并达到良好的功耗控制。GaN- 维持 买入
on-Si 有望挑战BTS 和RF 功率市场中现有的LDMOS 解决方案。到 雷鸣
2024 年GaN 射频市场空间可达20 亿美元,CAGR 达2 1%,主要由 leiming@
军用雷达和无线基础设施市场拉动。全球市场主要由以Cree 和住友 执业证书编号:S1440518030001
电工为代表的美日企业统治,国内厂商如三安光电、海特高新、华进
研究助理 刘双锋
创威在GaN RF HEMT 领域有一定实力。
liushuangfeng@
快充、汽车电子、消费电子推动功率GaN 放量
研究助理 朱立文
GaN 在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。在600
zhuliwen@
伏特左右电压下,其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优
于硅,这使电源产品更为轻薄、高效。并且,GaN 充电器体积小、
发布日期: 2020 年02 月18 日
功率高、支持PD 协议,有望在未来统一笔电和手机的充电器市场,
市场前景广阔。预计2024 年GaN 电源市场将超过3.5 亿美元,CAGR
达 85 %,GaN 快充是主要推动力量。全球市场由Infineon、EPC 、 市场表现
GaN Systems 、Transphorm 和Navitas 等公司主导,产品主要由TSMC, 74%
Episil 、X-FAB 代工。国内新兴代工厂中,三安光电和海特高新具有 54%
量产GaN 功率器件的能力。 34%
14%
疫情中短期内刺激光电市场,基于GaN 的深紫外UVC 需求高涨 -6%
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