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第 1 章 检测题 （共 100 分， 120 分钟） 一、填空题： （每空 0.5 分，共 25 分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。 这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电 。 P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子 为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区 及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极 、 基 极和 集电 极。 3、PN结正向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时， 外电场的方向与内电场 的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN结形成的过程中， P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散， N 型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一 个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立， 对多数载流子的 扩散 起削弱作用， 对少子的 漂移 起增强作用， 当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R× 1K 档位，当检测时表针偏转度较大时， 与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已 经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时， 说明该二极管已经 绝缘老化不通 。 6、单极型晶体管又称为 场效应（ MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲 线的 反向击穿 区。 8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误： （每小题 1 分，共 10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体呈负电性。 （ 错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R×10K 档位。 （错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （ 错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ 错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （ 对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ 错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流 I CM时，该管必被击穿。 （ 错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （ 错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （ 错） 三、选择题： （每小题 2 分，共 20 分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B 、双极型三极管； C 、场效应管； D 、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B 、四价； C 、五价； D 、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B 、截止状态； C 、反向击穿状态； D 、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1KΩ，说明该二极管 （ C ）。 A、已经击穿； B 、完好状态； C 、内部老化不通； D 、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B 、少子扩散； C 、少子漂移； D 、多子漂移。 6、测得 NPN型三极管上各电极对地电位分别为 VE＝ 2.1V ，VB＝ 2.8V ，VC＝ 4.4V ，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B 、饱和区； C 、截止区； D 、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大； B 、较小； C 、为零； D 、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。 A、矩形方波； B 、等腰三角波； C 、正弦半波； D 、仍为正弦波。 9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流 I CM； B 、集—射极间反向击穿电压 U（ BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率 PCM； D 、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B 、发射结反