电子信息材料发展现状及其展望.pptx

电子信息材料发展现状与展望;一、前言;二、市场;目前国际上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅（SiC）材料已经商品化，2004年GaAs IC产值达60亿美元 国内目前GaAs以3～4英寸为主，InP以2英寸为主。半导体照明工程的发展对GaAs材料的应用在增加，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等半导体材料在微电子、光电子技术领域应用发展很快，预计2005年全球锗硅（SiGe）外延材料市场可达22亿美元 ;2、新型平板显示器件材料 新型平板显示器的材料主要包括LCD、高亮度 LED、PDP用材料,其中LCD用电子材料的发展将 以TFT—LCD为重点,TFT液晶材料占市场的份额 三分之二以上 ;2010年世界LCD材料需求预测 ;2010年中国LCD材料需求量预测 ;ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。因此，最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。;国际PDP材料市场的占有以日本为主，韩国第二位，国内已开始部分彩色PDP材料的研制和生产 LED材料方面预计2010年我国普亮GaAs材料年用量90万平方米；红外AlGaAs材料年用量90万平方米；红、橙、黄AlGaInP材料年用量2180万平方米；蓝、绿、紫高亮度AlGaInN材料年用量400万平方米。 ;3、电子元器件材料 电子陶瓷材料是制造各种陶瓷电容器的主体结构 材料，国外年产各类电子陶瓷材料约在2万余吨， 预计“十一五”我国对微波介质陶瓷材料需求总每 年约1000吨，2010年各种电子陶瓷材料市场需求 约13.9万吨 ;预计世界磁性材料市场将以15%的年增长率发展，2010年产量约为永磁铁氧体85万吨，软磁铁氧体48万吨，钕铁硼磁体9万吨，届时我国永磁铁氧体磁性材料产量约为40万吨，软磁铁氧体20万吨，钕铁硼磁体6万吨，年产业规模将达到500亿元 在电子封装材料领域，预计2005年??球环氧模塑料EMC的年销量将达16～17万吨，市场约15～16亿美元，我国的市场需求将达到2500～3000吨；低温共烧基板(LTCC)全球2003年产量已突破1000万块以上;预计我国2010年覆铜板材的市场需求约62万吨。 2004年全球光纤产量近6900万公里，光缆产量5700万芯公里。2004年国内光纤产量约1600万芯公里，需求量约1300万芯公里 国际上激光晶体材料2003年产值约1亿美元。非线性光学晶体年销售额超过4亿美元，今后几年市场增长率约20%。我国2010年人造石英晶体的产能约2000吨/年。铌酸锂、钽酸锂晶体材料的市场需求约100吨 ;三、技术趋势 ;半导体材料（微电子、光电子）的发展趋势是：增大材料直径、提高材料参数的均匀性和表面质量、加速发展宽禁带半导体材料及第三代高温半导体材料，重点发展12″硅抛光片、8″、12″硅外延片，6″直拉砷化镓材料、SiGe/Si材料、SOI硅基材料、193nm光刻胶、超纯高纯试剂、先进的封装材料等产品。开发蓝光LED所需的GaN基、ZnSe基外延材料成为电子材料下一步的研究热点 ;电子元器件材料当前的发展重点是光电子器件所需的激光材料、非线性晶体材料、光纤通信材料、压电晶体材料、片式元件用的陶瓷材料、高密度印制板用的高性能覆铜板材料、高性能磁性材料等 ;同时已开展无铅、镉等有害物质介质瓷料的研究和生产；光纤材料正向不断扩展通信容量、降低损耗、增加传输距离、降低色散、提高带宽、抑制非线性效应、实现密集波分复用以及高灵敏度传感及大尺寸、低成本预制捧等方向发展；磁性材料领域将致力于发展新型稀土永磁材料，高磁性能的稀土永磁薄膜材料，高磁能积的纳米和非晶金属永磁材料。 掺钕钇铝石榴石晶体已成为应用最广泛的激光晶体，激光晶体的直径和尺寸也在不断增大，质量和性能不断提高。 ;电子显示器件材料的发展集中在FPD领域，STN-LCD 和TFT- LCD显示器所用的混合液晶，彩色滤色膜及颜料，平板玻璃，研究PDP所需的电极、荧光粉点阵的微细化技术，以使彩色等离子体显示器向大屏幕、高信息容量方向发展 无铅焊料替代含铅焊料，包括焊球、焊膏、焊条和焊丝等 ;四、产业现状 ;国内从事硅单晶材料研究生产企业约有40多家，从业人员约4000余人，2004年国内硅单晶产量达1700吨左右，大部分为4英寸、5英寸、6英寸硅