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PCB 双面板通孔镀铜工艺
7.1 制程目的
双面板以上完成钻孔后即进行镀通孔 (Plated Through Hole , PTH) 步骤,其
目的使孔壁上之非导体部份之树脂及玻纤束进行金属化 ( metalization ), 以进行
后来之电镀铜制程 ,完成足够导电及焊接之金属孔壁。
1986 年,美国有一家化学公司 Hunt 宣布 PTH 不再需要传统的贵金属及无
电铜的金属化制程 ,可用碳粉的涂布成为通电的媒介,商名为 Black hole 。之后
陆续有其他不同 base 产品上市 , 国内用户非常多 . 除传统 PTH 外, 直接电镀
(direct plating) 本章节也会述及 .
7.2 制造流程
去毛头→除胶渣→ PTHa一次铜
7.2.1. 去巴里 (deburr)
钻完孔后 ,若是钻孔条件不适当 ,孔边缘有 1.未切断铜丝 2.未切断玻纤的残
留 ,称为 burr. 因其要断不断 ,而且粗糙 ,若不将之去除 ,可能造成通孔不良及孔小 ,因
此钻孔后会有 de-burr 制程 .也有 de-burr 是放在 Desmear 之后才作业 .一般
de-burr 是用机器刷磨 ,且会加入超音波及高压冲洗的应用 .可参考表 4.1.
7.2.2. 除胶渣 (Desmear)
A.目的 :
Desmear
Create Micro-rough 增加 adhesion B. Smear 产生的原因 :
由于钻孔时造成的高温 Resin 超过 Tg 值,而形成融熔状,终致产生胶
渣。
此胶渣生于内层铜边缘及孔壁区,会造成 P.I.(Poor lnterconnection)
C. Desmear 的四种方法 :
硫酸法 (Sulferic Acid) 、电浆法 (Plasma) 、铬酸法 (Cromic Acid) 、 高锰
酸钾法 (Permanganate).
硫酸法必须保持高浓度,但硫酸本身为脱水剂很难保持高浓度,且咬
蚀出的孔面光滑无微孔,并不适用。
b. 电浆法效率慢且多为批次生产, 而处理后大多仍必须配合其他湿制程
处理,因此除非生产特殊板大多不予采用。
铬酸法咬蚀速度快,但微孔的产生并不理想,且废水不易处理又有致癌的潜在风险,故渐被淘汰。
高锰酸钾法因配合溶剂制程,可以产生微孔。同时由于还原电极的推出,使槽液安定性获得较佳控制,因此目前较被普遍使用。
7.2.2.1 高锰酸钾法 (KMnO4 Process):
A.膨松剂 (Sweller):
功能 : 软化膨松 Epoxy ,降低 Polymer 间的键结能,使 KMnO4 更易咬蚀形成 Micro-rough 速 率 作 用 Concentration
影响因素 : 见图 7.1
c. 安全 :不可和 KMnO4 直接混合,以免产生强烈氧化还原,发生火灾。
原理解释 :
(1) 见图 7.2
初期溶出可降低较弱的键结, 使其键结间有了明显的差异。 若浸泡
过长,强 的链结也渐次降低,终致整块成为低链结能的表面。如果达到如此状
态,将无法形成不同强度结面。若浸泡过短,则无法形成低键结及键结差异,如
此 将使 KMnO4 咬蚀难以形成蜂窝面,终致影响到 PTH 的效果。
Surface Tension 的问题 :
无论大小孔皆有可能有气泡残留,而表面力对孔内Wetting 也影
响颇大。故 采用较高温操作有助于降低 Surface Tension 及去除气泡。至于浓
度的问题, 为使 Drag out 降低减少消耗而使用略低浓度,事实上较高浓度也可
操作且速 度较快。
在制程中必须先 Wetting 孔内壁,以后才能使药液进入作用,否
则有空气残 留后续制程更不易进入孔内,其 Smear 将不可能去除。
B. 除胶剂 (KMnO4 ):
a. 使用 KMnO4 的原因 :选 KMnO4 而未选 NaMnO4 是因为 KMnO4 溶
解度较佳 ,单 价也较低。
反应原理 :
4MnO4- + C + 4OH- → MnO4= + CO2 + 2H2O ( 此为主反应式 )
2MnO4- + 2OH- → 2MnO4= + 1/2 O2 + H2O ( 此为高PH 值时自
发性分解反应 )
MnO4- + H2O → MnO2 + 2OH - + 1/2 O2 ( 此为自然反应会造成
Mn+4 沉淀 )
作业方式 :早期采氧化添加剂的方式,目前多用电极还原的方式操作,不稳 定的问题已获解决。
d. 过程中其化学成份状况皆以分析得知,但 Mn+7 为紫色 , Mn+6 为绿
色 ,Mn+4 为黑色,可由直观的色度来直接判断大略状态。若有不正常发生,则可能 是电极效率出了问题须注意。
e. 咬蚀速率的影响因素 : 见图 7.3
电极的好
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