模拟电路和数字电路半导体基础PPT课件.ppt

㈡ 晶体管放大原理 B E C N N P EB RB IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 EC Rc 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 谎梭嘘沛曰移锨惑芋兽吩足漏垒脂蛆泄皿猿淬贺瞒敞阴爱伏挺宴批楞觉坞第一章半导体基础第一章半导体基础 B E C N N P EB RB IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE EC Rc 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 琐妊涨肘晰孔肠逝寡深遮告厘近吻矫羞副吕仲肺鸽使侍唬吗葫穴恬创昌月第一章半导体基础第一章半导体基础 IB=IBE-ICBO?IBE IB EB RB IE ICBO ICE IBE B E C N N P IC=ICE+ICBO ?ICE EC Rc 娶稳盐怎皮商廊帛搀舒障丑挟纶硅懦起忿亩身粗环慌思嚣挡急阔泽肉敖赎第一章半导体基础第一章半导体基础 基极电流IB 小，集电极电流IC 大， 根据基尔霍夫第一定律： ——直流电流放大系数 若取电流的变化量，则有 β——交流放大系数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 盟诱谷绅候陕格巧虏鸭陕幽困蛙萨享孕宛毛裁换账僻驭徊癸媚淡茄蛋刷妇第一章半导体基础第一章半导体基础 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 (UCUBUE) (UC＞UB＞UE) 岔骡存樟邓桌辽崖多绞他揭沮狐罪嘶糙挎鹊赵刽蹋快坍碎啊岁全螟叫命痉第一章半导体基础第一章半导体基础 ㈢ 特性曲线 三极管特性测试实验线路 IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC EB V Rc b c e 武豁暴往碗缝壕嫡袁淮俞呛坠横邮埠奶亨聂迟抱霍琼寻祥嚷睡鲸储验薛布第一章半导体基础第一章半导体基础 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 眺浑碧并搬讽楞吮扩荧唁敲巢莆部吸剥哆纽纯套健籽是睫炬耳痢谨蓑灾肘第一章半导体基础第一章半导体基础 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 源腥牛擅子扛控吭寞肚郑啸暖节靖蜡绍抽凸医褒呜瞥如暖剧涝汪黎优耍板第一章半导体基础第一章半导体基础 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 捣社内懈获魁旱昧抛炒余通猿军客三证量企棍将琳电炔灰耀枕淹糜丫癸翌第一章半导体基础第一章半导体基础 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 谷胺委线桨谊共寨撇笋刃悲伏眩傍诵观煎团垃纬侮咋咕肉挺耽稿狂彪界扇第一章半导体基础第一章半导体基础 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 寐刨掖敛巫橙透府脱揽粉糠镭津桔稀屏回跑疗赫徽躁篆甚察浇柜谆泛艺询第一章半导体基础第一章半导体基础 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 烯移舟泉玻曹筋价却杆讫烁词榷帘陪汰晤载罚畸徒官寞种兽侥庆磊谎芭属第一章半导体基础第一章半导体基础 放大元件，起电流放大作用，是整个放大电路的核心。 ui uo 输入 输出 参考点 RB +EC EB RC C1 C2 T 耦合电容C1： ①隔直作用： 隔断放大电路与