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AP9N20DIY
200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
The AP9N20D/Y is silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency.
General Features
VDS =200V,ID 9A
RDS(ON) 0.3Ω@ VGS=10V
Application
Uninterruptible Power Supply(UPS)
Power Factor Correction (PFC)
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
AP9N20D TO-252-3L AP9N20D XXX YYYY 2500
AP9N20Y TO-251-3L AP9N20Y XXX YYYY 4000
Absolute Maximum Ratings T = 25ºC, unless otherwise noted
C
Parameter Symbol Value Unit
Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 200 V
Continuous Drain Current ID 9 A
Pulsed Drain Current IDM 36 A
Gate-Source Voltage VGSS ±20 V
Single Pulse Avalanche Energy EAS 100
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