Q_01 JH018A-2019LYH30S1200D型碳化硅肖特基整流桥 组件详细规范.pdf

半导体分立器件 LYH30S1200D 型碳化硅肖特基二极管组件 详细规范 Q/01JH018A-2019 1 范围 1.1 主题内容 本规范规定了LYH30S1200D 型碳化硅肖特基二极管组件（以下简称器件）的详细要求。 1.2 适用范围 本规范适用于器件的生产、检验和采购。 2 引用文件 GB/T 6571-95 半导体器件 分立器件 第3 部分：信号（包括开关）和调整二极管 GJB 33A-97 半导体分立器件总规范 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 QZJ840611 半导体二、三极管 “七专”技术条件 QZJ840611A 半导体分立器件 “七专”技术条件 QJ1906A-97 半导体器件破坏性物理分析（DPA）方法和程序 3 要求 3.1 详细要求 各项要求应按QZJ840611 和本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 器件采用金属封装，在芯片和底盘之间采用高温合金焊接结构，电连接采用高纯铝丝 超声键合，内部采用有机硅凝胶涂覆。 3.2.1 引出端镀涂 引出端表面镀金或浸锡。 3.2.2 外形尺寸 器件外形为金属陶瓷MSFM2522-W4H 型，外形尺寸应按图1 的规定。 Q/01JH018A-2019 单位为毫米 数 值 尺寸 符号 最小 标称 最大 A 8.00 — 10.00 B 1.20 — 1.80 Фb 1.00 — 1.50 D 24.00 — 26.00 E 21.00 — 23.00 E1 3.10 — 3.90 e 4.88 — 5.28 L 10.00 — 30.00 X 34.00 — 36.00 图1 外壳外形 3.2.3 引出端排列 引出端排列及说明应符合图2 的规定。 引出端序号 符号 功 能 1 ～ 交流输入端 2 ～ 交流输入端 3 -VO 输出负