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cht旋流接头检验报告(共10篇) 　　1.结构　　英文名称：siliconcarbide,俗称金刚砂。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。　　碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为级，仅次于世界上最硬的金刚石，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。　　碳化硅分类及性质：　　基本信息列表　　中文名称:碳化硅　　中文别名:碳化硅晶须　　英文名称:SiliconCarbide(Black)　　英文别名:SiliconCarbideBlack;silanyliumylidynemethanide;methylsilane;carbon(+4)cation;silicon(-4)anion　　CAS:409-21-2　　EINECS:206-991-8　　分子式：SiC　　分子量:　　碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于XX°C高温下形成，具有六角晶系结晶构造。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于XX°C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。　　因其的比重及高的升华温度，碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的偶合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。　　纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。　　4.历史沿革　　碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。　　关于碳化硅的几个事件　　1905年第一次在陨石中发现碳化硅　　1907年第一只碳化硅晶体发光二极管诞生　　1955年理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料　　1958年在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流　　1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基　　5.产能情况　　我国有碳化硅冶炼企业200多家，年生产能力220多万吨。冶炼变压器功率大多为6300~12500kVA，最大冶炼变压器为3XXkVA。加工制砂、微粉生产企业300多家，年生产能力200多万吨。XX年，我国碳化硅产能利用率不足45%。约三分之一的冶炼企业有加工制砂微粉生产线。碳化硅加工制砂微粉生产企业主要分布在河南、山东、江苏、吉林、黑龙江等省。　　我国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。我国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面：一是在生产过程中很少使用大型机械设备，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅产量较低；二是在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够；三是某些尖端产品的性能指标与发达国家同类产品相比有一定差距；四是冶炼过程中一氧化碳直接排放。国外主要企业基本实现了封闭冶炼，而我国碳化硅冶炼几乎全部是开放式冶炼，一氧化碳全部直排。XX年，我国企业开发出了封闭冶炼技术，实现了一氧化碳全部回收，但是距离全行业普及还有很长的路要走。　　根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅专家委员会的数据，截至XX年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。　　6.制造　　由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，并加入食盐和木屑，置入电炉中，加热到XX°C左右高温制得。　　①磨料级碳化硅技术条件按GB/T2480—96。各牌号的化学成分由表6-6-47和表6-6-48给出。　　②磨料粒度及其组成、磨料粒度组成测定方法：按GB/