元器件降额准则一览表.doc

PAGE 3 元器件降额准则一览表 一、电容 电容类型 降额参数 电压（%最大额定值） 最高温度（℃） 反向电压 严酷 一般 严酷 一般 固定纸/塑料薄膜 60% 70% Tmax-10℃ Tmax-10℃ 固定金属化薄膜 60% 70% Tmax-10℃ Tmax-10℃ 固定陶瓷型 60% 70% Tmax-10℃ Tmax-10℃ 固定钽电解（片状） 70% 80% Tmax-20℃ Tmax-20℃ 固定钽电解电容（固态、非固态（Wet and Foil）） 70% 80% Tmax-20℃ Tmax-20℃ 最大正向额定直流电压的2% 固定铝电解电容 70% 80% Tmax-20℃ Tmax-20℃ 可变电容器 60% 70% Tmax-10℃ Tmax-10℃ 二、晶体、晶振 对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。要参考正确的器件规格或制造商的资料。对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。 最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。 最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。 对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。 三、电阻 电阻类型 降额要求 功率（%最大额定功率） 最大温度（℃） 最大电压 严酷 一般 严酷 一般 固定合成电阻 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 固定片状薄膜电阻 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 固定薄膜（通用和精密） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 70% 固定薄膜电阻（功率） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 固定薄膜电阻（阻排） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 固定线绕电阻（精密） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 70% 固定线绕电阻（功率） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 70% 可变合成非线绕 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 可变非线绕薄膜电阻 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 可变线绕（通用） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 可变线绕（精密和半精密） 50% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 可变线绕（功率） 70% 70% Tmax-30℃ Tmax-30℃ 四、二极管 器件类型 降额参数 降额要求 严酷 一般 通用小信号/开关；电源整流器；可控硅 正向电流 反向电压 最高结温 90% 70% 95℃ 100% 80% 115℃ 微波二极管 功耗 反向电压 最高结温 90% 70% 95℃ 100% 80% 115℃ 瞬态抑制二极管 功耗 平均电流 最高结温 90% 90% 95℃ 100% 100% 115℃ 稳压二极管 功耗 最高结温 90% 95℃ 100% 115℃ 五、晶极管 部件类型 降额参数 要求 严酷条件 一般条件 双极性晶体管BJT 功率 电压（VCE） 最大结温 90% 70% 95℃ 100% 80% 115℃ 场效应晶体管FET（硅） 功率 击穿电压（VBR） 最大结温 90% 90% 95℃ 100% 100% 115℃ 场效应晶体管FET（GaAs） 功率 沟道温度 90% 105℃ 100% 125℃ 异质结双极性晶体管HBT(GaAs) 功率 沟道温度 90% 105℃ 100% 125℃ 高电子迁移率晶体管HEMT (GaAs) 功率 沟道温度 90% 105℃ 100% 125℃ 六、磁性器件：变压器和电感的降额要求： 部件类型 降额参数 降额要求 严酷条件 一般条件 音频变压器 功率变压器 脉冲变压器 脉冲电流（%最大额定值） 脉冲电压（%最大额定值） 热点温度（℃） 90% 90% Tmax-25℃ 100% 100% Tmax-25℃ 射频线圈 电感 直流电流（%最大额定值） 热点温度（℃） 90% Tmax-25℃ 100% Tmax-25℃ 七、微电路 部件类型 降额参数 要求 严酷 一般 硅数字微电路 扇出 频率（%最大额定值） 输出电流 最大结温 90% 90% 90% 95℃ 100% 100% 100% 115℃ 硅线性微电路 功耗 输出电流 最大结温 90% 90% 95℃ 100% 100% 115℃ GaAs数字微电路 最大沟道温度 105℃ 125℃ GaAs线性微电路 射频输出功率 功耗 最大沟道温度 90% 90% 105℃ 100% 100% 125℃ SiGe数字微电路 最大结温 95℃ 115℃ SiGe线性微电路 最大结温