日立su8020扫描电镜应用培训.ppt

* 消除荷电现象的方法 将不导电样品进行喷镀（使用离子溅射仪）： 块状不导电样品： 纤维样品： 碳 胶 * * 降低探针电流可以减轻荷电效应 Ip=20pA 加速电压：7KV 样品：鼠小肠绒毛 Ip=2pA * glass BSE SE HV : 2kV Mag : 12kX Sample : TFT (FIB treated - non coating) 抑制SE获得BSE图像可以减轻荷电效应 * 降低加速电压可以减轻荷电效应 加速电压：1.5KV 样品：二氧化硅刻蚀器件 加速电压：0.7KV * 改变拍照模式可以减轻荷电效应 慢扫拍照：40 sec 样品：二氧化硅微球 积分拍照：64 frames * 使用下探头可以减轻荷电效应 信号：SE(U) 样品：复合材料 信号：SE(L) * 消除荷电现象的电镜参数设定 在不喷镀金属层（使用离子溅射仪等）的情况下： 1 降低加速电压或使用减速模式 2 减少照射电流 3 改变接受信号 4 改变Capture条件 5 制样技巧 High模式转成Normal模式 减小发射电流Ie值 使用小的物镜光阑孔（正常拍照用2或者3号孔） 增大Condense Lens 1的值 1) 加快Capture 80s →40s →20s 2) CSS Scan 模式 3）积分拍照模式 1) 使用下探头接受信号 2) 使用EXB的LA模式（抑制二次电子的比例） * 5.“污染”现象 加速电压：2KV 放大倍率 ：×100K 样品：AlTiC合金 * 样品“污染”现象的原因 M M M M M M M M M M M 电子束扫描范围 在电子束的轰击下沉积或化合在样品表面 烃类气体分子 吸收 释放 短时间停留在样品表面 1）有样品内部释放出来的气体 2）样品仓内部的原有气体 * 减轻“污染”现象的方法 1.样品制备 用白炽灯或者红外线灯照射样品 加热样品至100°持续1到3个小时 离子清洗仪（Plasma Cleaning）30到200秒 将样品保存在没有油泵的真空室内10小时 2.观察条件设定和操作 升高加速电压 使用下探头或者BSE信号 在观察区附近聚焦消像散，使用Imaging Shift 3.使用防污染冷阱装置（注入液氮） * 物镜 冷阱 （标配） 能谱分析 图像观测 污染的吸附 冷阱的应用 * 6.样品损伤 如果避免样品损伤 1、降低电流 2、降低电压 3、喷镀 4、使用冷台 * 避免损伤：超低加速电压 試料提供：山形大学大学院理工学研究科　有機デバイス工学専攻 中山健一　准教授 有机半导体膜表面 （有機顔料：Me-PTC表面） 有机半导体膜上的Al部分 観察結果： 以前由于荷电、电子束损伤等影响，无法进行观察。现在通过减速功能，在极低加速电压下，即减轻了荷电，又避免的电子束损伤，可以非常清楚的区分出有机半导体膜的表面和电极的表面形貌 最低限度的降低了电子束损伤 减速功能原理及应用 * 7.减速模式 * Top Upper High energy electrom SE Low energy electrom Vd ※1 Both of the SE and BSE is accelerated by the deceleration voltage(negative bias). ※2 Average Z contrast often cannot be shown at ultra low voltage. Top ： Low energy signal Upper ： High energy signal※2 Variety of signal detection system Beam deceleration mode (*standard) NEW SU8020的减速模式 * 应用减速模式的注意事项 使用15mm以上的样品台，样品放在中央 1.5 mm ≤ WD ≤ 3mm 样品要薄，表面平整 截面样品无法使用 不能倾斜 大块状样品要导电 * 减速模式提高低加速电压下的分辨率 减速模式 普通模式 加速电压：0.5KV 样品： Au标准样品 * 着陆电压：1KV（减速模式） 放大倍数：X200K 样品：分子筛（未喷镀） 着陆电压：1KV（减速模式） 放大倍数：X150K 样品：C纳米管（未喷镀） 减速模式的应用：上探头 * 着陆电压：1KV（减速模式） 放大倍数：X300K 样品：氧化硅颗粒（未喷镀） 着陆电压：0.7KV（减速模式） 放大倍数：X100K 样品：高分子薄膜（未喷镀） 减速模式的应用：上探头 * Sample ： Au particle on carbon Landing V ： 100