PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究.pdfVIP

!""# 年& 月 西安电子科技大学学报（自然科学版） 3HX- !""# 第%! 卷. 第* 期 . ’()&*+,. (-. ./0/+*. )*/1$&2/#3 . ‘DR- %!. <D- * !"# 铁电薄膜材料的$%& 等离子体刻蚀研究 娄利飞，肖. 斌，汪家友，杨银堂，李跃进 （西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西 西安. ( )""( )） 摘要：以/01 和/01 2 34 为刻蚀气体，采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶$凝胶工艺制 备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除- 研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻 蚀速率的影响，指出当气体混合比约为!"5 时，刻蚀速率达到最大值- 锆钛酸铅铁电薄膜表面组份67/ 能谱分析曲线表明，在/01 和/01 2 34 气体中，被刻蚀后样品的78 含量大大减少，9:;! 的刻蚀是限制锆 钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素- 关键词：电子回旋共振；等离子体刻蚀；锆钛酸铅；凝胶$溶胶工艺 中图分类号： 9<%"* - "##. . 文献标识码：3. . 文章编号：)"")$!*"" （!""# ）"*$"###$"* !"#$% &’ "() *+, -./01/ )"2(345 -6&2)00 &’ 789 ’)66&).)2"632 "(34 ’3.1 1/")63/.0 !"# !$%& ’$ ，()* " +$, ，-*./ 0$1%234 ，5*./ 5$,%61,7 ，!) 54’%8 $, （9=> ?:@:AB4C DE FGH- I>C JK8- DE L:G> MK@G$NKO />P:QD@GHQBD4 ?KB>4:KRA K@G +>S:Q>A ， 6:G:K@ T@:S- ，6: UK@. ( )""( )，V=:@K ） :;0"6/2" ：. FR>QB4D@ QCQRDB4D@ 4>AD@K@Q> （FVW ）>BQ=:@X DE B=> R>KG Y:4QD@KB> B:BK@KB> （7,9 ）E>44D>R>QB4:Q B=:@ E:RPA O4DGHQ>G S:K ADR$X>R O4DQ>AA =KA 8>>@ O>4ED4P>G :@ /01 K@G B=> /01 2 34 P:ZBH4>A- 9=> G>O>@G>@Q> DE B=> >BQ=:@X 4KB> D@ B=> BDBKR ERD[ 4KB> ，XKA P:Z:@X 4KB:D K@G P:Q4D[KS> OD[>4 G>@A:BC =KA 8>>@ ACAB>PKB:QKRRC :@S>AB:XKB>G- FZO>4:P>@BKR 4>AHRBA A=D[ B=KB B=> PKZ:PK DE B=> >BQ=:@X 4KB> :A 4>KQ=>G [=>@ B=> XKA P:Z:@X 4KB:D :A K8DHB !"5 - 9=> AH4EKQ> QDPOD@>@B 6$4KC O=DBD>R>QB4D@ AO>QB4DAQDOC （67/ ）DE 7,9 B=:@ E:RPA :@G:QKB> B=KB B=> FVW >BQ=:@X O4DQ>AA :@ /01 K@G B=> /01 2 34 PZBH4>A C:>RG K X4>KB G>Q4>KA> :@ 78 QD@B>@B :@ B=> QDPODA:B:D@ DE 7,9 B=:@ E:RPA ，K@G B=KB B=