CoFeB超薄膜中增强的饱和磁化强度 - 西南大学学报.PDF

( ) 第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月 38 9 2016 9 ( ) Vol.38 No.9 JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Se. 2016 y p : / DOI 10.13718 .cnki.xdzk.2016.09.023 j CoFeB超薄膜中增强的饱和磁化强度① 刘 林 , 西南大学 电子信息工程学院 重庆 400715 : 摘要 研究了分别生长在 基片和反铁磁 薄膜上的 超薄膜在室温的磁特性 发现生长在反铁磁 Si FeMn CoFeB . , 薄膜上的 超薄膜的饱和磁化强度比直接生长在 基片的 超薄膜的值大 并且发现随着 FeMn CoFeB Si CoFeB CoFeB , 超薄膜厚度的增加 两者的差值减小 这样一种增大的饱和磁化强度应该与反铁磁 层对 超薄膜的钉 . FeMn CoFeB 扎有关. : ; ; 关 键 词 钴铁硼 超薄膜 饱和磁化强度 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O482.54 A 1673 9868201609 0149 04 [ ] 1-3 , 近年来 磁性材料由于其独特的性质及广泛的用途而受到人们的关注 .CoFeB薄膜在当前国际 自旋电子学研究领域显示出越来越重要的价值 巨磁电阻效应在自旋电子学研究领域有着极其重要的地 . 位[4-12] 用 薄膜作为参考层或者灵敏层的磁隧道结显示出巨大的室温隧穿磁电阻[9-10] 年 . CoFeB .2008 [ ] / / , Ikeda等人 10在赝自旋阀结构的 CoFeB M O CoFeB磁隧道结中 经过高温退火以后得到了在室温下 g , 隧穿磁电阻 这是目前国际上报道的单势垒磁性隧道结中的最高隧穿磁电阻比值 这在自旋电子