第4节 嵌入式系统的外围设备.pdf

第4章 嵌入式系统的外围设备  4.1 实时时钟  4.2 存储设备  4.3 输入设备  4.4 输出设备  4.5 外设接口  4.6 通讯接口  4.7 本章小结 习题 4.1 实时时钟  功能  提供可靠的时钟信息，包括时分秒和年月日  即使系统处于关机或停电状态，实时时钟通 过后备电池供电也能正常继续工作 使用  一些嵌入式处理器(如S3C2410处理器)芯片 内部集成了实时时钟单元； 未集成时，则需要外扩实时时钟芯片  外围电路：典型的只需要一个高精度的晶振 4.2 存储设备  功能 提供执行程序和存储数据所需空间  种类 RAM和ROM两种  特点 半导体器件而非磁质材料 具有密度大、体积小、访问速度快、性能可靠、 使用寿命长的优点，适合于嵌入式应用领域 4.2 存储设备 1.RAM (Random Access Memory)  内部结构：4 ×4 RAM  每个内存单元存储一个位（Bit ）的数据  使能线+地址线＋rd/wr线控制 图4-2 RAM 内部结构 4.2 存储设备  特点  可读可写，读取和写入一样快速  上电数据保存，掉电数据丢失 作为内存使用。  种类  SRAM  DRAM 4.2 存储设备 (1) SRAM (静态随机存取存储器)  内部结构  由正反器电路组成 S=1、R=0 时,输出Q =1 S=0、R=1 时,输出Q =0  每一位存储单元电路 需要6个晶体管 图4-3 SRAM结构 4.2 存储设备  特点  数据存取速度较快  比较容易和处理器制造在同一个芯片中  数据不需实时刷新  但成本较高 4.2 存储设备 (2) DRAM (动态随机存取存储器)  内部结构  存储单元由一个电 容和一个晶体管组成  解码线使晶体管导通后， 通过rd/wr 线读取电容 电压，或者对电容充放电  电容漏电， 15.625微秒充电一次 图4-4 DRAM结构 4.2 存储设备  特点  容量较大，约是SRAM 的4倍  成本低  但由于电容的充放电原因，数据需要进行实 时刷新操作 4.2 存储设备 2.ROM (Read-Only Memory)  内部结构  存储数据方式利用可规划式接线的短路或断路 来实现，具体接线的规划方式由ROM 的类型决 定  使能线+ 地址线 图4-5 ROM结构示意图 4.2 存储设备