将Λ型MOS-HBT-NDR电路应用在多功能逻辑闸电路设计 - 崑山电子历程.PDF

將Λ型 MOS-HBT-NDR電路應用在多功能邏輯閘電路設計 劉士豪 甘廣宙 蔡澈雄 陳耀煌 崑山科技大學 崑山科技大學 崑山科技大學 崑山科技大學 電子工程所 電子工程所 電子工程所 電子工程所 E-mail ： E-mail ： E-mail ： E-mail ： Liu0043@yahoo.co gankj@mail.ksu.edu e5040@mail.ksu.edu yhchen@mail.ksu.de m.tw .tw .tw u.tw 摘要 端連接到 hbt3的 collector 端，它的操作就像個主動 此篇論文是使用Λ型 MOS-HBT-NDR電路來設 的開關。 mn2的 source 端、hbt3的 emitter 端通通 計多功能 (multi-function)邏輯閘電路，此電路是使用 與基底連接在一起。 單穩態 (monostable)電路的原理來實現，以一位元或 當 mn1的 drain端所接的V 給定一個大於 mn1 gg 二位元或四位元的選擇輸入來設計我們要的邏輯 臨界電壓的固定正電壓， hbt3的 V 電壓低於 mn2 be 閘電路。此電路和傳統邏輯閘電路做比較，可以減 導通電壓，此時mn1 工作在飽和區，而由於mn1的 少電路複雜度與元件數等優點，並可配合Si-based drain端與gate端相接在一起，動作如同一個二極 的 CMOS製程與SiGe-based的 BiCMOS製程，將所設 體， mn2 不導通，hbt3的 base端電壓為Vgg– Vt1 ，所 計的電路，以積體電路的方式來實現。 以hbt3 導通，因此才產生了正電流曲線。 當 V – V 0時， mn2導通，此時hbt3的 V 電 dd t2 be 關鍵詞： Λ型 MOS-HBT-NDR電路，多功能 (multi- 壓等於 mn2的 V 電壓，由於 mn1和 mn2 分壓，使得 ds function)邏輯閘電路。 mn2的 V 電壓比 hbt3的 V 小，此時hbt3就截止，這 ds be 時負 微分電阻 區域形成 。我們稱 此為 Λ型 1. 前言 MOS-HBT-NDR電路。其電路動作原理如表 所示。1 我們知道負微分電阻 (negative different