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AO6602L;中文规格书,Datasheet资料
AO6602
30V Complementary MOSFET
General Description Product Summary
The AO6602 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel
excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS= 30V -30V
complementary MOSFETs form a high-speed power ID= 3.5A (VGS=10V) -2.7A (VGS=-10V)
inverter, suitable for a multitude of applications.
R R
DS(ON) DS(ON)
50m (VGS=10V) 100m (VGS=-10V)
70m (VGS=4.5V) 170m (VGS=-4.5V)
D1 D2
TSOP6
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G1 1 6 D1
S2 2 5 S1
G1 G2
G2 3 4 D2
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