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第5章 存贮器
第5章 存贮器
5.1 概述
5.2 读写存贮器(RAM)
5.3 只读存贮器(ROM)
5.4 外存贮器简介
第5章 存贮器
5.1 概述
5.1.1 存贮器的分类
1.读写存贮器RAM
读写存贮器(RAM)按其制造工艺又可以分为双极
型RAM和金属氧化物RAM 。
(1)双极型RAM
双极型RAM 的主要特点是存取时间短,通常为几
到几十纳秒(ns) 。
第5章 存贮器
(2) 金属氧化物(MOS)RAM
用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存贮器
(SRAM)和动态读写存贮器(DRAM) 。
①静态RAM 的主要特点是,其存取时间为几十到几
百ns ,集成度比较高。
②动态RAM 的存取速度与SRAM的存取速度差不多。
第5章 存贮器
2 .只读存贮器ROM
(1)掩模工艺ROM
(2)可一次编程ROM
(3)可擦去的PROM
第5章 存贮器
5.1.2 存贮器的主要性能指标
1.存贮容量
这里指的是存贮器芯片的存贮容量,其表示方式
一般为:芯片的存贮单元数×每个存贮单元的位数。
2.存取时间
存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需
要的时间。
3 .可靠性
微型计算机要正确地运行,必然要求存贮器系统
具有很高的可靠性。
第5章 存贮器
4 .功耗
使用功耗低的存贮器芯片构成存贮系统,不仅可
以减少对电源容量的要求,而且还可以提高存贮系统
的可靠性。
5 .价格
构成存贮系统时,在满足上述要求的情况下,应
尽量选择价格便宜的芯片。
第5章 存贮器
5.2 读写存贮器(RAM)
5.2.1 静态读写存贮器(SRAM)
1.概述
1) 8K×8bit的CMOSRAM芯片
现以6264(或6164)芯片为例,说明其引线功能。该
芯片的引脚图如图5.1所示。
(1) 引线功能
6264(6164)有28条引出线,它们包括:
A ~A 为13条地址信号线。
0 12
第5章 存贮器
NC 1 28 +5V
A 2 27 WE
12
A 3 26 CS
7 2
A 4 25 A
6 8
A 5
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