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SVF7N65F高压MOS场效应管
SVF7N65T/F/FG/K/S 说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管 QQ:2355820666
描述
SVF7N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应
晶体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压H 桥PWM 马达驱动。
特点
∗ 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVF7N65T TO-220-3L SVF7N65T 无铅 料管
SVF7N65F TO-220F-3L SVF7N65F 无铅 料管
SVF7N65FG TO-220F-3L SVF7N65FG 无卤 料管
SVF7N65K TO-262-3L SVF7N65K 无铅 料管
SVF7N65S TO-263-2L SVF7N65S 无铅 料管
SVF7N65STR TO-263-2L SVF7N65S 无铅 编带
版本号:1.7 2012.09.29
共9页 第1页
士兰微电子 SVF7N65T/F/FG/K/S 说明书
极限参数(除非特殊说明,T =25°C)
C
参数范围
参 数 符 号 SVF7N SVF7N SVF7N SVF7N 单位
65T 65F(G) 65K 65S
漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGS ±30 V
TC = 25°C 7.0
漏极电流 ID A
TC = 100°C 4.0
漏极脉冲电流 IDM 28.0 A
耗散功率(T =25°C )
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