4+第二章+嵌入式硬件系统-嵌入式存储技.ppt

制作者 程丽 接下来介绍本章第三节内容 嵌入式硬件架构 嵌入式处理器 嵌入式存储技术 接下来介绍 概述 存储器的性能指标 存储器的分类 概述 通用计算机把应用软件和操作系统放在外存中 嵌入式系统的软件通常直接放在内存（如Flash）中，上电之后可以立刻运行 也有的嵌入式系统的软件从外存启动、装载并运行 无论如何，需要考虑嵌入式系统的软件的固化问题 考虑存储器系统时，还需要考虑嵌入式系统软件的引导问题 接下来介绍 概述 存储器的性能指标 存储器的分类 存储器的性能指标 1、易失性 易失性是指电源断开后，存储器的内容是否丢失 如果某种存储器在断电之后，仍能保存其中的内容，则称为非易失性存储器；否则，就叫易失性存储器 只读存储器（ROM）是非易失性的，随机存储器（RAM）是易失性的 存储器的性能指标 2、只读性 若存储器中写入数据后，只能被读出，但不能用通常的办法重写或改写，那么这种存储器就叫只读存储器，即ROM 若存储器在写入数据后，既可对它进行读出，又可再对它写入，那么就叫可读/写存储器，有时叫做随机存储器 存储器的性能指标 3、位容量 由大规模集成电路构成的半导体存储器件常用位容量来表示其存储功能 应该采用位容量高的器件 接下来介绍 概述 存储器的性能指标 存储器的分类 存储器的分类 按存储介质分类 半导体存储器、磁表面存储器、光表面存储器 按存储器的读写功能分类 只读存储器（ROM）、随机存储器(RAM） 按在微机系统中的作用分类 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器 半导体存储器 半导体存储器主要包括随机存储器RAM和只读存储器两类ROM RAM 随机存储器与磁盘不同，可以以任意次序被读/写操作，而不象磁盘那样需要按照一定的顺序进行读/写操作，所以叫做随机存储器 RAM存储器分为两种: 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） RAM SRAM与DRAM间的主要区别是存储于其中的数据的寿命 SRAM是只要芯片有电就会保留其中的内容。然而，如果电源切断了或者是暂时断电了，其中的内容就会永久的丢失 DRAM只有极短的数据寿命，通常不超过0.25s，即使是在连续供电的情况下也是如此。因此使用DRAM时，需要配合DRAM控制器 RAM SRAM和DRAM的特点比较如下： SRAM比DRAM快； 工作时，SRAM比DRAM耗电多； DRAM的存储密度大于SRAM，在一个芯片上可以放置更多的DRAM； DRAM需要周期性刷新，需要使用专用的DRAM控制器； 关于价格，小容量使用时，SRAM是比较适宜的；大容量使用时，DRAM比较经济，特别是RAM系统的容量越大，DRAM的综合成本越低。 ROM 只读存储器（ROM）家族中的存储器是按照向其中写入新数据的方法（通常叫作编程）及其可以重写的次数来划分的 ROM 主要包括: 掩膜只读存储器ROM 可编程只读存储器PROM 可擦除只读存储器EPROM 电擦除的只读存储器EEPROM Flash 它们能够永久保存数据和程序，即使在断电之后，也能保存如初 Flash Nor Flash是在EEPROM基础上发明的。 Intel公司于1983年首次提出，在1988年商品化。 Nand Flash是1989年东芝公司和三星公司发明的。 Flash 十几年以来，世界主要闪存生产商分成Nor和Nand两大技术阵营，积极开展研发和生产。 Nor阵营主要有Intel和AMD公司 Nand阵营主要有Toshiba和Samsung公司 Flash NandFlash可独立成为外存，也可组成其他各种类型的电子盘如USB盘、CF、SD和MMC存储卡等。 NandFlash强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NandFlash具有容量大、回写速度快、芯片面积小等特点，主要用于外存。 NORFlash具有随机存储速度快、电压低、功耗低、稳定性高等特点，主要用于主存。 存储器的特点 RAM：随机存取存储器， SRAM：静态随机存储器， DRAM：动态随机存储器 1）SRAM比DRAM快 2）SRAM比DRAM耗电多 3）DRAM存储密度比SRAM高得多 4）DRAM需要周期性刷新 ROM：只读存储器 FLASH：闪存 存储器系统的层次结构 为了解决CPU与主存储器速度差所采取的措施有：（1）CPU内部设置多个通用寄存器（2）采用多存储模块交叉存取（3）采用高速缓冲存储器（Cache） 存储器系统的层次结构从上而下，依次： 速度更慢 容量更大 访问频率更小 造价更便宜 * 嵌入式系统概论 第二章 嵌入式硬件系统 --嵌入式存储技术 CPU 内部寄存器 高速缓存 片外高速存储器 （SRAM、SDRAM、DRAM） 主存储器 （FLASH、E