集成电路封装技术PPT课件.ppt

* 花时太长！ 目前3‵～5‵达90%固化 下填料固化 涂布下填料 倒装芯片 安装及回流 吸起及反转 上载 打标记 及分离 图16 倒装芯片BGA封装工艺 * 真空吸盘 真空吸球 滴助焊剂 放　球 N2气中回流 助焊剂清洗、分离、打标机 氮气再流焊炉 助焊剂滴涂和置球机 图17 BGA植球工艺流程 * 芯片尺寸封装CSP CSP：Chip Scale Package，芯片尺寸封装。 1. 定义：IC封装所占PCB面积≤1.2倍（或1.5倍或2倍） 芯片面积的多种封装形式的统称。 　　　 它是由现有的多种封装形式派生的、外形尺寸 相当于或稍大于芯片的、各种小型封装的总称。 它不是以结构形式来定义的封装。各类μBGA、 MiniBGA、FBGA （节距≤0.5mm）都可属于CSP。 　　　 外引脚都在封装体的下面，但可为：焊球、焊凸点、 焊盘、框架引线，品种形式已有50种以上。 （详见“芯片尺寸封装”一书）。 * 2. CSP分类　　 主要按基板材料来分： 　 有机基板（PCB）、　陶瓷基板、载带基板、 金属引线框架等 　 同一类基板，又可分： 芯片面向上，WB（引线键合）内互连； 芯片面向下　FC（倒装芯片）内互连 * * 几种典型的芯片尺寸封装 * 图18　 CSP的主要类型 * 主要产品为塑封有机基板 刚性基板上粘片 挠性基板上粘片 引线框架 圆片级封装（金凸点或焊料凸点） CSP可分为 * * * 图18　 几类芯片尺寸封装结构示意图 * 3.　JEDEC中的CSP标准 ①　已有14个，比BGA（8个）多，名称上采用了“窄节距” “焊球阵列”FBGA，薄型、超薄型、小尺寸、窄节距 BGA和薄、超小型“无引线封装”SON（4个）。 ②　 焊点节距范围为：0.40，0.50，0.65，0.75，0.80，1.00 mm。 　　 CSP与BGA的根本区别在于封装面积和芯片面积之比 SP/Sd≤1.2，而不在于节距>0.5mm。 ③　 正方形和矩形分立为两类：（S-，R-） ④　 焊球直径有：0.17，0.30，0.40，0.45，0.50 mm。 　　 焊盘尺寸有：0.40×0.70，0.30×0.50，0.35×0.70 mm2， 多数取0.30×0.50 mm2。 ⑤　 封装总体高度有：0.5，0.8，0.9，0.95，1.00，1.20， 1.70 mm等，多数取1.20 mm。 * 4. WLP圆片级封装 1. 概述： 　 因为圆片级封装的芯片面积和封装面积之比Sd/Sp→1， 所以也称为圆片级CSP，WL-CSP。 　　　 主要特征为：管芯的外引出端制作及包封（如果有 的话）全在完成前工序后的硅圆片上完成，然后再分割 成独立的器件。目前已有这类独立的封装厂。 　　　 它不同于通常的后封装生产：圆片——分割成芯片 （管芯）—— 再封装。 　　　 因为是圆片级加工，故封装加工效率提高，封装厚度 （tsi+t焊点）减小，封装所占PCB面积→S芯片。　　 * 加工成本高：因为设备贵，设备类似与前工序，需溅射、蒸发、 光刻等设备。现在正在开发低成本的WLP。 引出端材料成分有：PbSn、AuSn、Au、In。 引出端形状有：球、凸点、焊柱、焊盘。 　　　　 　　 因为引出端只能在芯片内扩展，因此主要是用于 低到中等引出端数器件。 　　　　　　 采用窄节距凸点时，引出端数也可多达500以上。 * 前部工艺 硅圆片 完成 切割分离 植球 硅圆片 包封 硅圆片 硅圆片 硅圆片 再分布 形成焊盘 超级CSP（WLP）的工艺流程概况 图19 SuperCSP的工艺流程略图 * 个管芯 圆片级封装（WLP） 图20　 圆片封装概况图 * 六、 集成电路外壳的选