原创力文档- 1、本文档共61页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
半导体器件;硅原子;硅晶格;电子与空穴;电流的形成;能带;不同材料;掺杂;受主掺杂：P型半导体;施主掺杂：N型半导体;电子空穴的复合;耗尽区;MOS晶体管;NMOS剖面图;关断;耗尽;反型;线性;饱和;NMOS I-V曲线;沟道长度调制效应;深亚微米的I-V曲线;速度饱和;速度饱和与沟道长度;IDS vs. VGS;速度饱和对电流的影响;I-V曲线对比;PMOS I-V曲线;MOS管的电容和电阻;RC回路;寄生电容;栅电容和覆盖电容;扩散电容（耗尽区电容）;MOS电容;导通电阻-线性区;导通电阻-饱和区;NMOS 3D模型;MOS开关模型;开关模型;NMOS/PMOS符号;0.25um MOS (Bell实验室);CMOS;CMOS结构;双阱CMOS;制造工艺;变化;准备原材料-单晶硅;芯片制造流程;制造SiO2;平面光学图像刻蚀工艺;CMOS基本工艺流程;CMOS Process Walk-Through;CMOS Process Walk-Through;CMOS Process Walk-Through;金属层;封装;封装需求;Bonding技术;芯片-板级连接方式;封装类型;多芯片封装
文档评论（0）