STM8S系列单片机原理与应用 第3章.pptVIP

PUSHWX BTJTFLASH_IAPSR,#1,FlashROM_Block_write_next1 ;?0，即状态寄存器FLASH_IAPSR的PUL(b1)位=0，FlashROM处于保护状态，先解除保护状态 MOVFLASH_PUKR,#56H ;向FlashROM写保护寄存器FLASH_PUKR连续写入 ;?56H、AEH，解除写保护 MOVFLASH_PUKR,#0AEHFlashROM_Block_write_next1: MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定义可重复的最大次数 MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE为0，即查询方式；FIX为0，自动选择编程周期。 MOVFLASH_CR2,#01H ;将FLASH_CR2寄存器的b0位(PRG)置1，选择块编程方式 MOVFLASH_NCR2,#0FEH ;将FLASH_NCR2寄存器的b0位(NPRG)清0，选择块编程方式 MOVR01,{IAP_First_ADR+2} ;记录块首地址FlashROM_Block_write_LOOP1:;?装载 MOVR00,#BLOCK_SIZE ;要装载的字节数 LDWX,#IAP_write_data_buffer ;缓冲区首地址送寄存器X中FlashROM_Block_write_LOOP11: LDA,(X) ;取操作数 LDF[IAP_First_ADR.e],A ;?FlashROM地址范围可能超出FFFFH，采用24位地址格式 INC{IAP_First_ADR+2} ;块大小只有128?B(对中高密度芯片)或64?B(对低密度芯片) ;即块地址单元中低8位为x0000000B或xx000000B INCWX DECR00 JRNEFlashROM_Block_write_LOOP11 ;装载结束 FlashROM_Block_write_next2: BTJFFLASH_IAPSR,#2,FlashROM_Block_write_next2 ;查询等待写操作结束;?校验 MOV{IAP_First_ADR+2},R01 ;恢复块首地址 MOVR00,#BLOCK_SIZE ;要校验的字节数 LDWX,#IAP_write_data_buffer ;缓冲区首地址送寄存器X中FlashROM_Block_write_LOOP12: LDFA,[IAP_First_ADR.e] XORA,(X) JRNEFlashROM_Block_write_next3 ;本单元校验正确 INC{IAP_First_ADR+2} ;块大小只有128?B(对中高密度芯片)或64?B(对低密度芯片) ;即块地址单元中低8位为x0000000B或xx000000B INCWX DECR00 JRNEFlashROM_Block_write_LOOP12 ;整个模块校验正确 MOV{IAP_First_ADR+2},R01 ;恢复块首地址 JRTFlashROM_Block_write_exit ;校验正确!FlashROM_Block_write_next3: ;校验错误，恢复块收地址后重新装入，再写 MOV{IAP_First_ADR+2},R01 ;恢复块首地址 DECIAP_OK_Symbol JRNEFlashROM_Block_write_LOOP1FlashROM_Block_write_exit: BRESFLASH_IAPSR,#1 ;清除PUL位，恢复写保护状态 POPWX ;恢复寄存器X内容 RETFFlashROM_Block_WIRE_END: RETF当需要执行块写入时，可按照如下方式调用，执行标准块写入操作：LDWX,#IAP_write_data_bufferLD(X),#XXH ;初始化缓冲区 MOV{IAP_First_ADR+0},#XXH ;初始化块首地址高16位MOV{IAP_First_ADR+1},#XXH ;初始化块首地址高8位MOV{IAP_Firs