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真空溅镀原理(图).ppt
真空濺鍍簡介 作者:XXX 真空濺鍍原理 1.DC Sputtering原理 2.RF Sputtering原理 真空濺鍍製成進行薄膜披覆特點 真空濺鍍機原理 真空濺鍍的原理 主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面, 靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加, 提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀。 真空濺鍍原理(圖) DC Sputtering原理: (適合導體材料的濺鍍) RF Sputtering原理: (適合所有固體材料的濺鍍) 真空濺鍍製成進行薄膜披覆特點 真空濺鍍機原理 濺鍍需在真空倉內實現,因此真空倉內真空度保持尤為重要. 真空系統包括真空倉, 初級﹑前級真空泵﹑分子泵, 旁路閥及排氣﹑抽氣閥﹑真空檢測探頭等. * 溅镀原理:靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉积到基板 * *
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